半導(dǎo)體晶圓封裝前用的plasma設(shè)備為什么不可或缺：
        半導(dǎo)體晶圓封裝是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中資金投入較大的一部分，等離子體設(shè)備如今在硅片代工中應(yīng)用廣泛，誠(chéng)峰智造也有專(zhuān)用晶圓加工plasma設(shè)備。
      半導(dǎo)體晶圓封裝代工部分在整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)鏈上注資了很多現(xiàn)金。具體地說(shuō)，晶圓代工就是在硅晶圓上制造電源電路和電子元件，這步對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)，技術(shù)比較復(fù)雜，而且投資領(lǐng)域比較廣。plasma設(shè)備適用于清除表面的微粒，完全清除光刻膠和其它有機(jī)物，改性及微蝕晶片表層，改善晶圓表面的侵潤(rùn)特性等，plasma設(shè)備在晶片表面處理方面的處理見(jiàn)效快，如今在晶圓加工中廣泛使用。

       光刻半導(dǎo)體晶圓封裝是整個(gè)晶圓代工過(guò)程中的一個(gè)重要工序。該方法的原理是將一層高光敏感度的阻光層覆蓋在晶圓片的表面，然后將光線(xiàn)透過(guò)掩模照射到晶圓片表層，被光線(xiàn)照射的阻光劑就會(huì)起反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)電路的移動(dòng)。
晶圓刻蝕：就是把晶圓表層區(qū)域用光阻劑顯露出來(lái)的過(guò)程。它主要分為兩種：濕式蝕刻和干式。簡(jiǎn)而言之，濕式刻蝕僅限于2微米的圖形尺寸，而干式刻蝕則用于更為精細(xì)、要求更高的電源電路。
        晶圓級(jí)封裝等離子體處理是一種干式清洗方式，具有一致性好、可控制等特點(diǎn)，目前，等離子體設(shè)備已逐步在光刻和刻蝕前后道工藝中推廣應(yīng)用。
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